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ZnO壓敏電阻陶瓷的性能是壓敏陶瓷中為優異的一種。近年來，由于電子設備向小型化、多功能化發展，集成電路的集成速度和密度不斷提高，為了使電子線路免遭浪涌電壓的破壞，在低壓領域內對壓敏電阻器的應用也提出了越來越高的要求，因此ZnO的低壓化成為研究的熱點。為了尋求一個相對合適的ZnO壓敏陶瓷的低壓化配方，并且將所學專業理論知識與實際相結合，經文獻查閱，我們設計了添加劑的量依次適當增加的四組平行實驗來進行研究。本文首先簡析了ZnO壓敏陶瓷材料的概念、結構、研究現狀及壓敏電阻的性能參數，并詳細解釋了其導電機理。同時對制備ZnO壓敏陶瓷的基本工藝流程做了初步的了解，通過熱分析的實驗和老師的指導得出，燒結溫度分別為1160℃、1180℃，1200℃三個溫度下保溫2h的燒結條件。

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暫態過電壓破壞，這是指較強的暫態過電壓使電阻體穿孔，導致更大的電流而高熱起火。整個過程在較短時間內發生，以至電阻體上設置的熱熔接點來不及熔斷。在三相電源保護中，N-PE線之間的壓敏電阻器燒壞起火的事故概率較高，多數是屬于這一種情況。相應的對策集中在壓敏電阻損壞后不起火。一些壓敏電阻的應用技術資料中，推薦與壓敏電阻串聯電流熔絲（保險絲）進行保護。

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